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晶体管
2N6039G参考图片

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2N6039G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
2,500
¥2.147
5367.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225AA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6039
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,2N6039G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:35542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥388.042
250:¥355.4641
参考库存:35547
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50P04-08-GE3
2,000:¥4.8816
参考库存:16397
晶体管
IGBT 模块 Intelligent Pwr Mod 600V 12A 3Phase IGBT
1:¥132.2439
10:¥121.5654
25:¥116.5708
100:¥102.6605
参考库存:7009
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥936.5214
参考库存:35556
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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