APT100GT120JRDQ4详细信息_APT100GT120JRDQ4相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	123 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	570 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GT120JRDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STD35NF06T4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp	1:¥11.0627 10:¥9.4468 100:¥7.2885 500:¥6.441 2,500:¥4.5087 10,000:查看	参考库存:9495
FF50R12RT4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 50A	1:¥352.6956 5:¥344.8534 10:¥329.0334 25:¥315.27	参考库存:4557
SI3440DV-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6	1:¥11.752 10:¥9.6841 100:¥7.4806 500:¥6.4297 3,000:¥6.4297	参考库存:48894
BUK9637-100E,118	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET	1:¥8.2942 10:¥7.0512 100:¥5.4127 500:¥4.7799 800:¥3.7742	参考库存:67296
MPSA29	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington	1:¥3.2996 10:¥2.373 100:¥1.09158 1,000:¥0.83733	参考库存:46278