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晶体管
IRF9389TRPBF参考图片

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IRF9389TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
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库存:202,166(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
4,000
¥1.3673
5469.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.8 A, 4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 51 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.8 nC, 8.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
商标名
HEXFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
IRF939
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.2 S, 4.1 S
下降时间
3.9 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns, 14 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 8 ns
零件号别名
SP001551666
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,IRF9389TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.91
参考库存:167923
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥196.7895
5:¥189.1055
10:¥182.0317
25:¥167.2852
参考库存:33375
晶体管
MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥15.2889
500:¥13.3679
1,000:¥11.0627
参考库存:7930
晶体管
MOSFET PSMP015-40YE LFPAK
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
参考库存:33382
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:17937
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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