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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220F-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Id-连续漏极电流	12 A
Rds On-漏源导通电阻	250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	24 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	31 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	7.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	13 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	15 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD86336Q3D	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥7.9891 500:¥7.0512 2,500:¥5.4353 5,000:查看	参考库存:16340
FCPF220N80	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SF2 800V 220MOHM E TO220F	1:¥27.3573 10:¥23.2102 100:¥20.1366 250:¥19.1309	参考库存:8707
SQJ402EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified	1:¥12.9046 10:¥11.4469 100:¥9.0626 500:¥7.2659 3,000:¥5.2658 6,000:查看	参考库存:24119
IRL40B215	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl	1:¥18.3625 10:¥15.594 100:¥12.4526 500:¥10.9158	参考库存:15831
FDWS86380-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET	1:¥8.1473 10:¥6.9156 100:¥5.3788 500:¥4.7686 3,000:¥3.2996 9,000:查看	参考库存:18848