VNP35N07-E详细信息_VNP35N07-E相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	35 A
Rds On-漏源导通电阻	28 mOhms
Qg-栅极电荷	100 nC
Pd-功率耗散	40 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Tube
系列	VNP35N07-E
晶体管类型	1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型	MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	25 S
下降时间	200 ns, 4.3 us
产品类型	MOSFET
上升时间	350 ns, 2.7 us
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	650 ns, 10 us
典型接通延迟时间	100 ns, 500 us
单位重量	330 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI8425DB-T1-E1	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6	1:¥5.3788 10:¥4.6895 100:¥3.6386 500:¥2.7233 1,000:¥2.2035 3,000:¥1.9549	参考库存:33636
IRL630STRRPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA	1:¥20.2835 10:¥16.9048 100:¥13.0628 500:¥11.4469 800:¥9.5259	参考库存:7633
DMN4060SVT-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K	1:¥3.1527 10:¥2.3504 100:¥1.2769 1,000:¥0.9605 3,000:¥0.82264 9,000:¥0.77631	参考库存:151465
DTC143EET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN	1:¥0.84524 10:¥0.73789 100:¥0.26103 1,000:¥0.17628 3,000:¥0.13786	参考库存:404692
TSM3N90CI C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A	1:¥10.3734 10:¥9.2208 100:¥7.2659 500:¥5.6387	参考库存:13544