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晶体管
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UF2840G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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¥1,104.4959
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10
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
40 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
116 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格，UF2840G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SCR513RTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:5707
ZTX689B
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥7.7631
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
参考库存:4639
BUL38D
STMicroelectronics
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
参考库存:10386
PDTA144ET,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Single PNP-50V 150mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:55733
IGW25N120H3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:15360

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