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晶体管
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UF2840G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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¥1,104.4959
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10
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
40 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
116 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格，UF2840G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZT956TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Current
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:20732
ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,000:¥2.2148
参考库存:13009
IRF1010EPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
参考库存:9951
TP86R203NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
2,500:¥2.4408
参考库存:6983
IRF7420TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
1:¥7.684
10:¥6.5766
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5256
4,000:¥3.5256
参考库存:40635

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    50万现货SKU

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