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晶体管
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SIHB4N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥15.2889
152.889
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C410NLWFAFT3G
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