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晶体管
IRFSL3806PBF参考图片

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IRFSL3806PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001571672
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IRFSL3806PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.068
10:¥2.7007
100:¥1.6837
500:¥1.5029
3,000:¥0.94468
9,000:查看
参考库存:19309
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥437.988
10:¥364.99
25:¥328.491
50:¥291.992
参考库存:4341
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥751.4952
2:¥728.2172
5:¥727.9799
10:¥704.5437
参考库存:4353
晶体管
MOSFET NCH+NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥3.616
10:¥2.6103
100:¥1.5368
500:¥0.86784
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:65865
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥2.8476
10:¥1.8419
100:¥0.86106
500:¥0.65314
3,000:¥0.40002
9,000:查看
参考库存:81927
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    50万现货SKU

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