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晶体管
STGF6NC60HD参考图片

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STGF6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:34,180(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
20 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
参考库存:65566
晶体管
MOSFET 20V 0.70A
1:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.3786
参考库存:183568
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
1:¥73.9924
10:¥66.8508
50:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:6015
晶体管
MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:22457
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE TAPE-7
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.51528
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:54189
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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