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晶体管
IPD050N03LGATMA1参考图片

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IPD050N03LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:62,969(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
2,500
¥2.8928
7232
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
G IPD050N03L IPD5N3LGXT SP000680630
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD050N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:6776
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:8908
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
1:¥49.7878
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.2674
参考库存:6530
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11012
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
2,500:¥2.8476
10,000:查看
参考库存:38224
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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