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晶体管
CSD16403Q5A参考图片

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CSD16403Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:226,387(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8478
3423.9
2,500
¥5.2884
13221
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16403Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
91 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.2 ns
典型接通延迟时间
11.8 ns
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16403Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:305056
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
1:¥97.5868
10:¥89.7446
25:¥86.0608
100:¥75.8456
参考库存:6413
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W NPN
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9099
500:¥5.2206
参考库存:28560
晶体管
MOSFET SO-8 N-CH 60V
1:¥12.6786
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
2,500:¥6.2489
参考库存:26982
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:25339
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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