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晶体管
ZXMHN6A07T8TA参考图片

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ZXMHN6A07T8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge
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库存:11,391(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMHN6
晶体管类型
4 N-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns
商品其它信息
优势价格,ZXMHN6A07T8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
参考库存:35899
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥25.2781
10:¥20.905
100:¥17.2099
250:¥16.6788
参考库存:3731
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
1:¥19.5942
10:¥16.6788
100:¥13.2888
500:¥11.6842
4,800:¥8.6106
9,600:查看
参考库存:25108
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,590.7462
5:¥1,557.1626
10:¥1,523.579
25:¥1,485.0912
50:¥1,446.5921
参考库存:1930
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2153
1,000:¥10.1474
参考库存:25987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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