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晶体管
ULN2803ADWRG4参考图片

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ULN2803ADWRG4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 TRANSISTOR ARRAYS
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库存:66,911(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0738
707.38
500
¥6.2602
3130.1
2,000
¥4.3844
8768.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
ULN2803A
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.35 mm
长度
11.62 mm
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
宽度
7.52 mm
商标
Texas Instruments
湿度敏感性
Yes
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
570 mg
商品其它信息
优势价格,ULN2803ADWRG4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Dual PNP
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8871
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:80293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor
3,000:¥1.2317
9,000:¥1.1413
24,000:¥1.08367
45,000:¥1.05994
参考库存:32257
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15Vcbo 15 Vceo 200mA 350mW 7.0pF
3,000:¥1.8193
9,000:¥1.7515
24,000:¥1.6837
45,000:¥1.6611
参考库存:320300
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
500:¥364.0634
参考库存:32264
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
250:¥773.6206
参考库存:32269
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    50万现货SKU

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