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晶体管
IGP30N60H3参考图片

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IGP30N60H3

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数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP30N60H3XKSA1 IGP3N6H3XK SP000702546
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGP30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
1:¥27.9675
10:¥22.5096
100:¥20.5208
250:¥18.5207
参考库存:5347
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥6.6105
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.7855
参考库存:13799
晶体管
MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4691
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.3391
参考库存:44751
晶体管
MOSFET BUK7M12-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6046
参考库存:11103
晶体管
MOSFET Energy Inversion DC-AC
1:¥22.3627
10:¥19.0518
100:¥16.4415
250:¥15.594
3,000:¥11.2209
6,000:查看
参考库存:19655
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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