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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	2.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3F-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA143XEB
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA143XEB

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FCP220N80	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET	1:¥26.7358 10:¥22.6678 100:¥19.6733 250:¥18.6676	参考库存:4385
FF400R17KE4EHOSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM	1:¥1,786.756 5:¥1,743.8047 10:¥1,700.4692 25:¥1,676.7279	参考库存:1917
STB41N40DM6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥40.6461 10:¥34.578 100:¥29.9676 250:¥28.4308 1,000:¥21.5152 2,000:查看	参考库存:3394
STL13N65M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.365 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package	1:¥13.673 10:¥11.6842 100:¥9.2999 500:¥8.1473 3,000:¥6.2828 6,000:查看	参考库存:16046
CSD19505KTT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V, N-Channel NexFET Power Mosfet	1:¥23.2102 10:¥20.8259 100:¥17.063 250:¥15.9782 500:¥14.5205	参考库存:4048