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晶体管
SQJQ480E-T1_GE3参考图片

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SQJQ480E-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:15,483(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.6787
1467.87
250
¥14.2154
3553.85
500
¥12.7577
6378.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
144 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,SQJQ480E-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:44164
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darl Amp
1:¥4.8364
10:¥4.2488
100:¥2.9493
1,000:¥2.1922
2,500:¥1.9549
参考库存:33431
晶体管
MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5368
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:16198
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥12.7577
10:¥11.30
100:¥8.9157
500:¥6.9156
1,000:¥5.4579
3,000:¥4.9494
参考库存:18415
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
4,000:¥0.84524
参考库存:43982
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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