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晶体管
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FS150R12KT3

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数量单价合计
1
¥1,482.8538
1482.8538
5
¥1,447.2023
7236.0115
10
¥1,411.2457
14112.457
25
¥1,391.4933
34787.3325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KT3BOSA1 SP000100440
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS150R12KT3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:30169
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2659
1,000:¥5.7404
参考库存:10604
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:30176
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.7631
25:¥6.4523
100:¥5.9212
250:¥5.4805
2,000:¥5.4805
参考库存:30181
晶体管
MOSFET 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:30186
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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