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晶体管
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FQP13N10

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库存:14,340(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
1,000
¥3.4126
3412.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12.8 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP13N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FQP13N10_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP13N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:33690
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.7233
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5312
参考库存:33695
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥567.9267
5:¥550.1744
10:¥533.4278
25:¥509.4492
参考库存:33700
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Schottky 650mA 0.47V 0.5A
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.66896
45,000:¥0.64523
99,000:¥0.61472
参考库存:186941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 350mW
5,600:¥1.04525
10,500:¥0.97632
25,200:¥0.92208
50,400:¥0.90626
100,100:¥0.86784
参考库存:33707
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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