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晶体管
HGTG40N60B3参考图片

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HGTG40N60B3

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库存:26,946(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥89.5186
89.5186
10
¥82.2979
822.979
25
¥78.9192
1972.98
100
¥69.5402
6954.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG40N60B3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG40N60B3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG40N60B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.2318
参考库存:26500
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -30V
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:91542
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:67794
晶体管
MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
1:¥22.826
10:¥18.3625
100:¥16.6788
250:¥15.0629
2,500:¥10.8367
5,000:查看
参考库存:13941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Low Sat
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:52813
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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