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晶体管
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BST39TA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,000
¥0.95259
1905.18
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
70 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BST39
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，BST39TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P50S65M2-F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:28991
FZ1800R17HP4_B9
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥6,747.7837
5:¥6,639.9026
参考库存:28996
DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V P-CH MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:29001
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:29006
MHT1002GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,475.6331
参考库存:29011

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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