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晶体管
DMN10H170SK3-13参考图片

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DMN10H170SK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A
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库存:76,070(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.8419
4604.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.6 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
490 mg
商品其它信息
优势价格,DMN10H170SK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE7 PWR-MO
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:92825
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Voltage
1:¥3.3787
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
2,000:¥1.13
参考库存:385577
晶体管
MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
2,500:¥1.5594
参考库存:59289
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:128251
晶体管
达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power PNP
1:¥54.2513
10:¥49.0194
50:¥46.7933
100:¥40.567
参考库存:4798
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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