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晶体管
SI7460DP-T1-GE3参考图片

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SI7460DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：67,647(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.30
1130
3,000
¥11.30
33900
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI7460DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI7460DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCP54
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 NPN GP AMP
1:¥3.616
10:¥2.8024
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
4,000:¥0.9831
参考库存:77321
FDS8928A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7404
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
2,500:¥4.0002
参考库存:7003
IRLML9303TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:77115
PMV32UP,215
Nexperia
晶体管
MOSFET P-CH -20 V -4 A
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:50212
2SC5658T2LQ
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:68179

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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