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晶体管
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IPL65R650C6SATMA1

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库存：17,291(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.3902
739.02
500
¥6.5314
3265.7
1,000
¥5.1528
5152.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ThinPAK-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56.8 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPL65R650C6S SP001163082
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格，IPL65R650C6SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS450R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A IGBT4
1:¥4,267.4676
5:¥4,010.2796
参考库存:27185
SMP5485
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 4.0Vgs 15Vds 10mA
820:¥8.2264
1,000:¥6.7913
2,500:¥6.0907
10,000:¥5.8647
参考库存:27190
2N6058
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥412.0206
5:¥389.737
10:¥385.2735
25:¥356.3116
参考库存:27195
JAN2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥445.5929
参考库存:27200
STGW35HF60WDI
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥33.4254
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.3571
参考库存:8301

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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