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晶体管
CSD16340Q3参考图片

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CSD16340Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
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库存:167,167(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0738
70.738
100
¥5.4353
543.53
500
¥4.8138
2406.9
2,500
¥3.3674
8418.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16340Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.8 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
44.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16340Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:16296
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:85788
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0399
参考库存:5765
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥40.341
10:¥36.1148
25:¥32.4988
50:¥31.6626
参考库存:3352
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:35439
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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