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晶体管
VS-ETF150Y65N参考图片

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VS-ETF150Y65N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
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库存:41,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.3379
543.3379
5
¥532.5803
2662.9015
10
¥510.2967
5102.967
25
¥493.8552
12346.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
201 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
EMIPAK-2B
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-ETF150Y65N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.6895
100:¥3.6386
500:¥2.7233
1,000:¥2.2035
3,000:¥1.9549
参考库存:33636
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥20.2835
10:¥16.9048
100:¥13.0628
500:¥11.4469
800:¥9.5259
参考库存:7633
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:151465
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
3,000:¥0.13786
参考库存:404692
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A
1:¥10.3734
10:¥9.2208
100:¥7.2659
500:¥5.6387
参考库存:13544
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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