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晶体管
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FDMC86102LZ

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库存：298,857(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
3,000
¥4.5991
13797.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMC86102LZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
2.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
单位重量
165.330 mg
商品其它信息
优势价格，FDMC86102LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3486A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥136.9334
250:¥125.6334
500:¥119.5653
参考库存:36069
2N3469
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
105:¥67.9243
250:¥62.0144
500:¥56.5565
1,000:¥47.8668
参考库存:36074
STGWA25M120DF3
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IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
参考库存:36079
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
暂无价格
参考库存:36084
2N5115UB
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JFET JFET
100:¥343.5539
250:¥314.6598
参考库存:36089

  • 海量现货

    50万现货SKU

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