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晶体管

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APTGT100A60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：4,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥401.489
401.489
5
¥389.3528
1946.764
10
¥377.8946
3778.946
25
¥354.3115
8857.7875
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格，APTGT100A60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SP000934758
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
5,000:¥3.5256
10,000:¥3.4013
25,000:¥3.2883
参考库存:34493
PXAC203302FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
参考库存:34498
PTFB210801FA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥383.6576
参考库存:34503
STI47N60DM6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an I PAK package
1:¥48.4092
10:¥41.1094
100:¥35.6515
250:¥33.8096
参考库存:8244
TSM2N60ECH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 2Amp N channel Power Mosfet
15,000:¥2.2713
24,375:¥2.2148
参考库存:34510

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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