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晶体管
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CGH40180PP

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
220 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440199
封装
Tube
应用
-
配置
Dual
高度
4.34 mm
长度
29 mm
工作频率
1 GHz to 2.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
类
-
开发套件
CGH40180PP-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH40180PP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZT3019
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power Transistor
1:¥2.9945
10:¥2.3278
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
4,000:¥0.82264
参考库存:41096
SPD08P06PGXT
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:13918
FDC6324L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 LOAD SW 20V
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.6724
参考库存:24055
FDD390N15ALZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET
1:¥7.9891
10:¥6.8478
100:¥5.2658
500:¥4.6443
2,500:¥3.2544
10,000:查看
参考库存:1817
2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
晶体管
JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:23899

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    50万现货SKU

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