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晶体管
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FDU6N50TU

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库存:23,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.2999
9.2999
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0568
605.68
500
¥5.3449
2672.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDU6N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格,FDU6N50TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:8767
晶体管
MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:10604
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥11.6051
10:¥11.4469
25:¥9.605
100:¥8.7575
参考库存:7431
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥8.7575
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
3,000:¥3.5708
9,000:查看
参考库存:12478
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26080
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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