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晶体管
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CSD13381F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3052
23.052
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1060 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13381F4
晶体管类型
1 N-Channel FemtoFET MOSFET
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD3601
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1:¥58.2402
10:¥52.6354
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100:¥43.5728
参考库存:10328
JAN2N2905A/TR
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100:¥104.6606
200:¥95.4398
500:¥89.2926
1,000:¥81.9137
参考库存:34485
JANTXV2N2484UB
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1:¥260.0243
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10:¥240.5092
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1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:70465

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