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晶体管
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2N5367

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.8194
381.94
1,000
¥2.8476
2847.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
1 V
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
300 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
75 at 300 mA, 5 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5367 PBFREE
单位重量
206 mg
商品其它信息
优势价格,2N5367的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 915mA N-Channel
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:228438
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
1:¥103.1916
10:¥94.8974
25:¥90.9763
100:¥80.1396
参考库存:4645
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.97632
参考库存:13987
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥37.2674
10:¥31.6626
100:¥27.4364
250:¥26.0465
500:¥23.3571
参考库存:8974
晶体管
IGBT 晶体管 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
参考库存:8766
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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