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晶体管
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RJH65T46DPQ-A0#T0

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/40A/TO-247A
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47.799
10
¥42.6462
426.462
25
¥38.42
960.5
50
¥36.725
1836.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
340.9 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
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参考库存:31072

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