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晶体管
TSM60N1R4CH参考图片

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TSM60N1R4CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
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数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.9157
89.157
100
¥7.0173
701.73
500
¥5.4353
2717.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
880 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
C5G TSM60N1R4CH
单位重量
340 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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