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晶体管
STD7NM60N参考图片

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STD7NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
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数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.8422
3921.1
2,500
¥6.0229
15057.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD7NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD7NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:9925
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:3087
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23964
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥291.4496
5:¥278.3868
10:¥269.6293
25:¥247.809
参考库存:1221
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT FSII T
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.3628
参考库存:2078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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