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产品分类

晶体管
FGY120T65SPD-F085参考图片

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FGY120T65SPD-F085

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库存:6,918(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
Pd-功率耗散
882 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGY120T65S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
240 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGY120T65SPD_F085
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格,FGY120T65SPD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥6.7574
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
2,500:¥2.4408
参考库存:173388
晶体管
MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
1:¥14.7578
3,000:¥14.7578
参考库存:32735
晶体管
MOSFET Nch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:152912
晶体管
MOSFET BUK7M19-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6046
参考库存:11339
晶体管
MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
1:¥42.9513
100:¥41.2676
500:¥39.2675
800:¥39.2675
参考库存:5491
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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