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晶体管
NTD5C648NLT4G参考图片

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NTD5C648NLT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V LL DPAK
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库存:10,864(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥15.0629
150.629
100
¥12.0684
1206.84
500
¥10.5316
5265.8
2,500
¥8.1473
20368.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
91 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
76 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格,NTD5C648NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET NCH J-FET
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:37626
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
1:¥10.5316
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:4278
晶体管
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
1:¥4.1471
10:¥2.7233
100:¥1.5255
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:21650
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:13132
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:12909
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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