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晶体管
FP150R12KT4P_B11参考图片

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FP150R12KT4P_B11

  • Infineon / IR
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数量单价合计
1
¥1,968.1775
1968.1775
5
¥1,920.8418
9604.209
10
¥1,873.1332
18731.332
25
¥1,846.9285
46173.2125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
EconoPIM 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FP150R12KT4PB11BPSA1 SP001603806
商品其它信息
优势价格，FP150R12KT4P_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5,000:¥6.9947
10,000:¥6.7235
参考库存:34359

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