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晶体管
SQD40031EL_GE3参考图片

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SQD40031EL_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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库存:12,625(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥11.4469
114.469
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.119
3559.5
2,000
¥5.0624
10124.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1. 5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
186 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
204 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
126 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,SQD40031EL_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18249
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:18311
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HV 300mA 160V
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:37738
晶体管
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
1:¥84.75
10:¥77.9135
25:¥74.693
100:¥65.7773
参考库存:15295
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Digital TR PNP
1:¥2.2261
10:¥1.5368
100:¥0.69156
1,000:¥0.46104
8,000:¥0.30736
96,000:查看
参考库存:19457
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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