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晶体管
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DMG2302UK-7

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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
660 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.2 ns
典型接通延迟时间
0.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMG2302UK-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6551
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:5755
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 7.6 mo FET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
800:¥8.9157
参考库存:76697
STGB5H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
参考库存:12884
BCR 198S H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:5951
FZT1049ATC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
4,000:¥2.6442
参考库存:47985

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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