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晶体管
SQ4940AEY-T1_GE3参考图片

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SQ4940AEY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.3789
73.789
100
¥5.6613
566.13
500
¥4.8703
2435.15
1,000
¥3.842
3842
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC, 43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
33 S, 33 S
下降时间
9 ns, 9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns, 13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 8 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQ4940AEY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FMMT494QTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSMidPerfTranstr
1:¥3.9211
10:¥3.0284
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
9,000:¥0.99101
参考库存:25073
DDTC143ECA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:60365
NVTFS5124PLWFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
1:¥4.8364
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
1,500:¥1.7289
参考库存:10592
SMUN2113T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP SPCL
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:17579
2N6300
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 . .
1:¥99.3496
10:¥98.3552
25:¥91.0554
100:¥83.6765
参考库存:2826

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    50万现货SKU

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