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晶体管
IPB60R360P7ATMA1参考图片

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IPB60R360P7ATMA1

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库存:9,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.8421
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
305 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB60R360P7 SP001664948
商品其它信息
优势价格,IPB60R360P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.4806
1,000:¥6.2037
参考库存:4786
晶体管
MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
3,000:¥5.2206
参考库存:16498
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
2,500:¥6.6105
参考库存:12500
晶体管
MOSFET 100V 75A 0.015ohm N-CH
1:¥24.4306
10:¥20.8259
100:¥18.0574
250:¥17.063
800:¥12.9046
2,400:查看
参考库存:10047
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥4.7686
10:¥3.6386
100:¥2.7007
500:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.7176
参考库存:19464
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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