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晶体管
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CGHV14800F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
800 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440117
封装
Tray
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 100 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV14800F-TB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，CGHV14800F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKD06N60RFA
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1,000:¥16.4415
2,000:查看
参考库存:5174

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