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晶体管
IRF135S203参考图片

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IRF135S203

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
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库存:7,478(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥24.973
249.73
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
800
¥15.594
12475.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
135 V
Id-连续漏极电流
129 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
200 S
下降时间
81 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
114 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001570032
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF135S203的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:32746
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥4.4522
10:¥3.8194
100:¥2.6555
1,000:¥1.9662
8,000:¥1.6046
24,000:查看
参考库存:485987
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥4.3844
9,000:¥4.2262
参考库存:32753
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:32758
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH POWER
375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
参考库存:32763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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