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晶体管
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IPT65R033G7XTMA1

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数量单价合计
1
¥118.4918
118.4918
10
¥108.9546
1089.546
25
¥104.4233
2610.5825
100
¥91.982
9198.2
2,000
¥67.7774
135554.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
69 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
391 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
CoolMOS C7 Gold
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPT65R033G7 SP001456202
单位重量
65 mg
商品其它信息
优势价格，IPT65R033G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SD1760TLP
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 50V 3A
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
2,500:¥2.5425
参考库存:28161
2N6191
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥93.4397
250:¥85.2133
500:¥79.6876
1,000:¥73.0771
参考库存:28166
RJH60D6DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT, TO-3P
1:¥39.1093
10:¥34.8831
25:¥31.4253
50:¥29.9676
参考库存:28171
DRA2143E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:28176
2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥299.0658
5:¥285.6188
10:¥276.7031
25:¥254.2613
参考库存:28181

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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