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晶体管
IKW75N65EH5XKSA1参考图片

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IKW75N65EH5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65EH5 SP001257948
商品其它信息
优势价格，IKW75N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5655
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥10.9836
10:¥8.9948
100:¥7.458
500:¥5.7517
参考库存:13147
FF400R12KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:3634
CMUT2907A TR
Central Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
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CMPT491E TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Enhanced
1:¥3.842
10:¥2.4634
100:¥1.1978
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:46573
BC 817K-40W H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.8419
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:166530

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