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晶体管
IPB065N10N3GATMA1参考图片

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IPB065N10N3GATMA1

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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.3733
8373.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
G IPB065N10N3 SP001232588
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB065N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 7.5Ohm
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥2.9267
参考库存:12298
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:159415
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:17712
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Spd SW
1:¥16.2155
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:8929
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.441
参考库存:7271
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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