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晶体管
IPP60R210CFD7XKSA1参考图片

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IPP60R210CFD7XKSA1

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库存:4,694(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
1,000
¥9.831
9831
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
64 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
IPP60R210CFD7 SP001715660
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R210CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18249
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:18311
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HV 300mA 160V
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:37738
晶体管
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
1:¥84.75
10:¥77.9135
25:¥74.693
100:¥65.7773
参考库存:15295
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Digital TR PNP
1:¥2.2261
10:¥1.5368
100:¥0.69156
1,000:¥0.46104
8,000:¥0.30736
96,000:查看
参考库存:19457
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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