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晶体管
SIHU6N80E-GE3参考图片

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SIHU6N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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库存：16,597(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.4524
8452.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SIHU6N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD80N04S3-06
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:32746
CMNDM8001 TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥4.4522
10:¥3.8194
100:¥2.6555
1,000:¥1.9662
8,000:¥1.6046
24,000:查看
参考库存:485987
STL3N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥4.3844
9,000:¥4.2262
参考库存:32753
PXFC191507FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:32758
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH POWER
375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
参考库存:32763

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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