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晶体管
SIHU6N80E-GE3参考图片

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SIHU6N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.4524
8452.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH260N6F6-6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:13219
2N6048
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥325.3383
250:¥297.3708
参考库存:37376
RN1301(TE85L,F)
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:37381
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100:¥139.6906
250:¥128.2437
500:¥122.0174
参考库存:37386
JAN2N3418
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥165.0478
250:¥151.4539
500:¥144.1541
参考库存:37391

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