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晶体管
NVMFD5C674NLWFT1G参考图片

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NVMFD5C674NLWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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库存:22,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥6.0342
603.42
500
¥5.3336
2666.8
1,500
¥3.729
5593.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
11.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C674NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
27.5 S
下降时间
27.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32.1 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.6 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFD5C674NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:8084
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:28476
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:15398
晶体管
MOSFET 240V 15Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:24595
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥73.5404
10:¥66.4666
25:¥63.3139
100:¥55.0197
参考库存:3437
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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