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晶体管
IPZA60R037P7XKSA1参考图片

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IPZA60R037P7XKSA1

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库存:4,010(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.9082
84.9082
10
¥76.7609
767.609
25
¥73.1562
1828.905
100
¥63.5512
6355.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPZA60R037P7 SP001707736
商品其它信息
优势价格,IPZA60R037P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:27764
晶体管
IGBT 模块
100:¥705.5494
参考库存:27769
晶体管
MOSFET P-Ch 450mA MOSFET & 40V 500mA Schottky
6,000:¥1.4464
9,000:¥1.3447
24,000:¥1.2769
45,000:¥1.243
参考库存:76010
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:27776
晶体管
MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
1:¥8.2264
10:¥6.3732
100:¥5.0737
500:¥4.6217
参考库存:27781
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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