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晶体管
IPZA60R037P7XKSA1参考图片

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IPZA60R037P7XKSA1

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库存:4,010(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.9082
84.9082
10
¥76.7609
767.609
25
¥73.1562
1828.905
100
¥63.5512
6355.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPZA60R037P7 SP001707736
商品其它信息
优势价格,IPZA60R037P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:49656
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.1413
参考库存:14683
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥395.5678
5:¥386.7312
10:¥371.6005
25:¥359.6112
参考库存:4825
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:9947
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05316
参考库存:26829
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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